一、项目编号：OITC-G********6（招标文件编号：OITC-G********6）
二、项目名称：中国科学院上海微系统与信息技术研究所基于AI高维参数调控、数据检测分析技术的高性能InP基材料开发采购项目
三、中标（成交）信息
供应商名称：中国电子科技集团公司第十三研究所
供应商地址：河北省石家庄市新华区合作路**3号
中标（成交）金额：**0.******0（万元）
四、主要标的信息
| 序号 | 供应商名称 | 服务名称 | 服务范围 | 服务要求 | 服务时间 | 服务标准 |
| 1 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 基于AI高维参数调控、数据检测分析技术的高性能InP基材料开发 | 开发基于AI的高维合成参数精确监控与实时调控系统，能在材料生长过程中即完成对生长结果的预测，实时调控生长；开发基于AI的数据管理分析与异常检测系统，能完成高通量数据采集、关键数据分析、异常检测、根因分析；基于这两个系统，开发高性能InP基射频材料。 | 1、乙方需具备拥有完整制造流程的生产产线或相应的实验设备，软件系统需直接部署到产线，并提供系统可行性的实测数据验证证明。 2、系统开发完成后，乙方需提供全套软件安装文件与环境配置文件，并提供全套评审与说明文档，包括原型评审文档、设计评审文档、详细设计说明书、数据结构说明书、用户操作手册、运维手册、测试用例评审文档等。 3、乙方需向甲方提供系统安装配置服务、系统使用培训服务及后续的维护服务。 4、甲方在使用过程中对软件功能、性能的优化有建议，乙方需配合交流并制定优化方案，并在服务范围内提供必要的技术支持。 5、InP基射频外延基片样片生产完成后，乙方交付样片的同时需提供相应的验证测试合格报告。 | 1年 | (1)AI数据管理分析与异常检测系统1套，检测精度**%，误报率5% (2)AI高维参数精确监控与实时调控系统1套，模型预测精度**%，调参成功率**% (3)InP基HBT射频材料3英寸晶圆：基区材料的空穴载流子浓度≥5×**** cm-3、迁移率≥** cm2/V·s InP基APD光电材料3英寸晶圆：缺陷密度≤**个/cm2，本底载流子浓度≤5×**** cm-3 |
五、评审专家（单一来源采购人员）名单：
蔡玉钊 张涛 杨国平 叶军安 孔潇（用户代表）
六、代理服务收费标准及金额：
本项目代理费收费标准：****号文
本项目代理费总金额：0.****** 万元（人民币）
七、公告期限
自本公告发布之日起1个工作日。
八、其它补充事宜
本项目采用综合评分法，中标供应商的评审总得分为**.**分。
附件：招标文件
九、凡对本次公告内容提出询问，请按以下方式联系。
1.采购人信息
名 称：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地址：上海市长宁路**5号
联系方式：胡老师,**1-********-****
2.采购代理机构信息
名 称：东方国际招标有限责任公司
地 址：北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心**层
联系方式：杨帆 陈小舫 赵倩,**1-********/**0-********
3.项目联系方式
项目联系人：杨帆 陈小舫 赵倩
电 话： **1-********/**0-********
